一種包括陽(yáng)極和陰極的輻射源,所述陽(yáng)極和陰極被配置和排列為在所述陽(yáng)極和陰極之間的物質(zhì)中產(chǎn)生放電形成等離子體從而產(chǎn)生電磁輻射。所述流體包括氙、銦、鋰、錫或任何適合的材料。輻射源單元設(shè)置為具有低感應(yīng)系數(shù),并運(yùn)行于等離子體最小的狀態(tài)來(lái)提高轉(zhuǎn)換效率。在輻射源體積和芯捻內(nèi)設(shè)有流體循環(huán)系統(tǒng),應(yīng)用流體的氣態(tài)和液態(tài)轉(zhuǎn)換來(lái)提高熱耗散。輻射源單元設(shè)置得產(chǎn)生最小量的污染物,并在不干擾出射輻射的情況下捕獲污染物來(lái)防止污染物進(jìn)入光刻投影裝置。
聲明:
“輻射源、光刻設(shè)備和器件制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)