本發(fā)明涉及一種復(fù)合晶片，其包括轉(zhuǎn)移至支承晶片整個表面的鉭酸鋰或鈮酸鋰氧化物單晶薄膜，且在支承晶片與氧化物單晶薄膜之間的接合界面上不發(fā)生開裂或剝落。一種復(fù)合晶片的制造方法，其至少包括：在氧化單晶片中形成離子注入層的步驟，對所述氧化物單晶片的所述離子注入表面和支承晶片表面中的至少一者進(jìn)行表面活化處理的步驟，將所述氧化物單晶片的所述離子注入表面接合至所述支承晶片表面形成層合體的步驟，在90℃以上且不致使開裂發(fā)生的溫度下對所述層合體進(jìn)行第一熱處理的步驟，對所述離子注入層施加機械沖擊的步驟，以及在250℃～600℃的溫度下對帶有轉(zhuǎn)移的所述氧化物單晶薄膜的所述支承晶片進(jìn)行第二熱處理以獲得復(fù)合晶片的步驟。