本發(fā)明涉及一種高離子電導(dǎo)率電解質(zhì)薄膜的制備方法,屬于鋰離子電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用Ⅳ族元素?fù)诫s以及遠(yuǎn)低于室溫的薄膜低溫沉積方法,提高薄膜化學(xué)鍵和方式以及薄膜的微觀結(jié)構(gòu)的無(wú)序化程度,實(shí)現(xiàn)有效提高薄膜電解質(zhì)層的離子電導(dǎo)率達(dá)到10?5S/cm量級(jí),可將薄膜鋰離子電池的放電電流增大一個(gè)量級(jí),有效地提高了薄膜
儲(chǔ)能電池的大電流放電能力,極大地解決現(xiàn)有薄膜儲(chǔ)能電池放電能力不足的缺點(diǎn),拓展了薄膜儲(chǔ)能電池的應(yīng)用方向。
聲明:
“高離子電導(dǎo)率電解質(zhì)薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)