本發(fā)明涉及利用熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法。本發(fā)明通過選擇對氮化鎵有一定溶解度的助熔劑,即鋰單質(zhì)或含鋰化合物,與原料按一定比例混合,即可在較低溫度(680—900℃)及常壓(0.5—10個大氣壓)下按常規(guī)方法(如緩慢降溫法)進(jìn)行GaN單晶的生長。本發(fā)明設(shè)備簡單、原料價廉,成本低,可進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“利用熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)