本發(fā)明公開了一種低電阻率、高載流子濃度的p型氧化銅薄膜的制備方法,該方法選擇摻雜鋰的氧化銅作為脈沖激光沉積的靶材,通過選擇合適的鋰摻雜濃度,即可得到低電阻率、高載流子濃度的p型氧化銅薄膜,其中金屬鋰的摻雜量為2wt%時,得到的p型氧化銅薄膜的電阻率為7.56Ω·cm、載流子濃度為7.39×1019cm?3。本發(fā)明操作簡單,適用于低電阻率、高載流子濃度的p型氧化銅薄膜的工業(yè)化制備。
聲明:
“低電阻率、高載流子濃度的p型氧化銅薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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