本發(fā)明公開了一種用于紅外焦平面器件的鐵電單晶薄膜制備方法。其方法是將硅基襯底上的鉭酸鋰(LiTaO₃)單晶薄膜剝離下來轉(zhuǎn)移到特定的襯底上，保留單晶體材料的熱釋電性能，關(guān)鍵技術(shù)包括腐蝕硅基襯底的工藝條件、自支撐薄膜轉(zhuǎn)移、電極制備與性能測試。首先，利用把硅基鉭酸鋰薄膜放置于腐蝕液中，在一定的溫度下反應(yīng)一段時間，然后轉(zhuǎn)移到酒精中進(jìn)行二次轉(zhuǎn)移操作，使其在特定襯底上形成自支撐薄膜。然后，利用電子束蒸發(fā)制備上下電極，用自制的熱釋電系數(shù)測試系統(tǒng)測量單晶薄膜的熱釋電系數(shù)。該技術(shù)可以獲得大面積、均勻的自支撐鉭酸鋰單晶薄膜，可用于制備高靈敏的非制冷紅外焦平面器件。