本發(fā)明提供了適用于半導體裝置用層間絕緣材 料的、由仲烴基或叔烴基與硅原子直接相連的硅烷化合物通過 化學氣相成長法形成的絕緣膜用材料、由該材料形成的絕緣膜 及使用該絕緣膜的半導體裝置。所述絕緣膜用材料含通式(1) 表示的有機硅烷化合物，該材料通過使有機鹵化物與金屬鋰反 應生成叔碳原子和鋰直接連接的有機鋰，再使該有機鋰與鹵代 烷氧基硅烷或四烷氧基硅烷反應而制得。式中， R1、 R2、 R3表示碳原子數(shù)1～20的烴基， R1、 R2、 R3可相互結合形成環(huán)狀結構， R4表示碳原子數(shù)1～10的烴基或 氫原子，n表示1～3的整數(shù)。