本發(fā)明公開了光通訊和光學(xué)多路成像技術(shù)領(lǐng)域中一種可調(diào)二維光子微結(jié)構(gòu)位相陣列器的制作方法。技術(shù)方案是,在摻鎂鈮酸鋰晶體基片上,利用成熟的半導(dǎo)體光刻技術(shù)工藝,并采用背向反轉(zhuǎn)短脈沖極化電場(chǎng)技術(shù),制作六角二維光子微結(jié)構(gòu)位相陣列。由于摻鎂鈮酸鋰晶體電光性能較佳,因此通過在帶有二維光子微結(jié)構(gòu)基片的±Z面上外加電場(chǎng)的調(diào)控,可以實(shí)現(xiàn)在0~2Π之間位相的連續(xù)改變,而且可以使摻鎂鈮酸鋰晶體透光范圍(5ΜM~320NM)內(nèi)的任意光波實(shí)現(xiàn)位相周期分布場(chǎng),最終使近場(chǎng)衍射的光強(qiáng)均勻分布。本發(fā)明通過使用摻鎂鈮酸鋰晶體,直接加工制作微光學(xué)陣列元件,實(shí)現(xiàn)了晶體透光范圍內(nèi)任意波長的陣列發(fā)光,同時(shí)也簡化了加工過程。
聲明:
“可調(diào)二維光子微結(jié)構(gòu)位相陣列器的制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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