一種提高鋁酸鋰(302)面襯底上非極性a(11-20)面GaN薄膜質(zhì)量的方法，在金屬有機(jī)物化 學(xué)氣相淀積(MOCVD)系統(tǒng)中，在鋁酸鋰(LiAlO2)(302)面襯底上，在N2保護(hù)下，升溫到 800-950℃，在氮?dú)鈿夥障律L低溫保護(hù)層，低溫保護(hù)層反應(yīng)室壓力為150-500torr，三甲基鎵 (TMGa)流量為1-50sccm，對應(yīng)于摩爾流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低壓力 至100-300torr，升溫到1000-1100℃在氮?dú)鈿夥障吕^續(xù)生長非摻雜氮化鎵(U-GaN)層，TMGa 流量為10-150sccm，對應(yīng)于摩爾流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；接著關(guān)閉TMGa的流 量計，通入硅烷(SiH4)或者二茂鎂(Cp2Mg)，生長一層SiNx或者M(jìn)g3N2阻擋層，厚度為 1-100nm，然后再升溫到1050-1150℃，在氫氣氣氛下生長高溫U-GaN約1um，TMGa流量為 20-200sccm，對應(yīng)于摩爾流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。通過生長低溫保護(hù)層，保護(hù)鋁 酸鋰襯底不被高溫破壞，而高溫U-GaN的目的是提高薄膜質(zhì)量，改善表面平整度。