本發(fā)明公開了一種高介電常數(shù)二氧化鋯納米晶體/聚酰亞胺復(fù)合薄膜及其制備方法,涉及高介電常數(shù)
復(fù)合材料以及旋涂制備優(yōu)質(zhì)薄膜技術(shù)領(lǐng)域。該方法通過制備的二氧化鋯納米晶體與聚酰胺酸的前體溶液,采用具有普適性的溶液成膜技術(shù)將該前體溶液在基片上制備成膜,最后經(jīng)過熱亞胺化處理得到高介電常數(shù)二氧化鋯納米晶體/聚酰亞胺復(fù)合薄膜。本發(fā)明利用簡單溶液法制備高質(zhì)量的高介電常數(shù)二氧化鋯納米晶體/聚酰亞胺復(fù)合薄膜,大大簡化了制備工藝,節(jié)約了制備成本,制備得到的高介電常數(shù)復(fù)合薄膜具有較高的介電常數(shù)和較好的表面平整度。
聲明:
“高介電常數(shù)二氧化鋯納米晶體/聚酰亞胺復(fù)合薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)