本發(fā)明涉及集成電路封裝領(lǐng)域內(nèi)一種在高導(dǎo)熱集成電路封裝基板表面全面鍍覆的導(dǎo)熱絕緣涂層及制備方法，本發(fā)明利用純銅（Cu）、純鋁（Al），鋁/金剛石（Al/金剛石）或者銅/金剛石（Cu/金剛石）復(fù)合材料等高導(dǎo)熱材料作為基體，將Al或SiC作為靶材安裝在直流陰極上，采用多弧離子氣相沉積鍍膜方法在基體表面全方位、無(wú)死角鍍覆絕緣AlN涂層或者SiC涂層，解決了大功率集成電子芯片封裝基板中對(duì)導(dǎo)熱、絕緣、延遲時(shí)間等多方面性能需求，本發(fā)明制備的導(dǎo)熱材料涂層?基體體系兼具導(dǎo)熱率高、電阻率高、高頻下介電常數(shù)低的優(yōu)勢(shì)。