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高后向受激布里淵散射增益的微納結(jié)構(gòu)片上光聲波導(dǎo)

773   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:26:11
本發(fā)明提供了一種高后向受激布里淵散射增益的微納結(jié)構(gòu)片上光聲波導(dǎo),波導(dǎo)包括由硫化亞砷材料構(gòu)成的波導(dǎo)芯,硅包覆層及二氧化硅襯底;波導(dǎo)芯制備在二氧化硅襯底上;波導(dǎo)芯的材料為硫化亞砷,剖面為矩形;在波導(dǎo)芯中心從上至下有一矩形通孔,通孔中為空氣;硅包覆層在外部將波導(dǎo)芯與通孔上、下側(cè)以及波導(dǎo)芯的左、右側(cè)對(duì)稱包覆,使波導(dǎo)芯中心形成一充滿空氣的矩形通孔。本發(fā)明通過在硫化亞砷材料上、下側(cè),左、右側(cè)對(duì)稱包覆硅包覆層,并在硫化亞砷材料中央開設(shè)一從上至下充滿空氣的矩形通孔,加強(qiáng)了微納結(jié)構(gòu)中特殊的光輻射壓力、同時(shí)調(diào)控聲模式位移場(chǎng)分布,有效提高了基于硫化亞砷?硅復(fù)合材料二氧化硅片上微納結(jié)構(gòu)的后向受激布里淵散射增益。
聲明:
“高后向受激布里淵散射增益的微納結(jié)構(gòu)片上光聲波導(dǎo)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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