本發(fā)明公開了一種基于新型High?K材料的GeSn溝道場效應(yīng)晶體管，主要解決現(xiàn)有基于現(xiàn)有介質(zhì)材料的場效應(yīng)晶體管，靜態(tài)功耗大的問題。其包括：襯底(1)、溝道(2)、絕緣介質(zhì)薄膜(3)、柵電極(4)、源極(5)和漏極(6)，襯底(1)采用的單晶半導(dǎo)體材料；該溝道(2)，采用Sn組分為[0.05，0.12]的通GeSn復(fù)合材料；該絕緣介質(zhì)薄膜(3)采用介電常數(shù)在3.9～80范圍的高介電常數(shù)材料；該柵電極(4)和絕緣介質(zhì)薄膜(3)自上而下覆蓋溝道(2)的正上方。本發(fā)明可在不提高工藝成本且滿足等效氧化層厚度的前提下，提高柵極介電層的物理厚度，降低柵極漏電流，減小靜態(tài)功耗，進(jìn)而提升場效應(yīng)晶體管的整體性能。