本發(fā)明提供一種
芯片封裝電極及其制備方法和芯片封裝結(jié)構(gòu)。該芯片封裝電極,包括:電極板以及在所述電極板上層疊設(shè)置的第一鉬銅合金層、彈性層和第二鉬銅合金層,其中,所述第一鉬銅合金層和第二鉬銅合金層中鉬的質(zhì)量百分比沿背離所述電極板的方向上均逐漸增大,所述彈性層由銅和彈性體形成的
復(fù)合材料制成。第一鉬銅合金層和第二鉬銅合金層中,銅保證該電極具有優(yōu)良的導(dǎo)電性能,由于鉬的熱膨脹系數(shù)與芯片更匹配,從而降低了熱膨脹系數(shù)不匹配對電極或芯片所造成的損害;彈性層中,銅保證了電極的導(dǎo)電性能,彈性體的添加增加了電極的彈性,進一步降低了對芯片的機械損傷風(fēng)險。上述封裝電極結(jié)構(gòu)緊湊,電極與芯片距離適宜,保證了芯片的良好散熱。
聲明:
“芯片封裝電極及其制備方法和芯片封裝結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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