本發(fā)明公開了一種柔性憶阻器件及其制備方法，柔性憶阻器件，包括由上到下依次設(shè)置的頂電極、阻變層、底電極和襯底，阻變層為淀粉樣多肽納米纖維負載的金納米顆粒材料層。制備步驟包括：淀粉樣多肽納米纖維負載的金納米顆粒復(fù)合材料的制備、底電極濺射、阻變層滴鑄和頂電極濺射。本發(fā)明通過在底電極之上覆蓋一層淀粉樣多肽納米纖維—金納米顆粒復(fù)合材料膜構(gòu)成阻變層，使阻變層及整個憶阻器件的導(dǎo)電性和穩(wěn)定性，在不同的電流限制情況下，開啟后的阻值量級不同，具有用于存算一體架構(gòu)的潛力。且本發(fā)明的制備方法簡單、高效，成本低，可廣泛用于工業(yè)生產(chǎn)。