提供一種電子器件及其制造方法,具有高性能及高功能、良好的高頻特性、對降低成本有效的絕緣結(jié)構(gòu)。半導體基板1具有在其厚度方向上延伸的縱孔30。絕緣物填充層3是通過向縱孔30內(nèi)進行填充以覆蓋其內(nèi)周面而成的環(huán)狀層??v導體2由填充到被絕緣物填充層3所包圍的區(qū)域20內(nèi)的凝固金屬體而成。絕緣填充層3是具有有機絕緣物或以玻璃為主成分的無機絕緣物、和具有納米
復合材料結(jié)構(gòu)的陶瓷的層。納米復合材料結(jié)構(gòu)的陶瓷的常溫電阻率超過1014Ω·cm,相對介電常數(shù)在4~9的范圍內(nèi)。
聲明:
“電子器件及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)