本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N負(fù)極極片、包含該負(fù)極極片的電化學(xué)裝置和電子裝置，負(fù)極極片包含負(fù)極材料層，負(fù)極材料層包含硅基復(fù)合材料，硅基復(fù)合材料包含多孔的碳基體和碳基體孔隙內(nèi)的納米硅顆粒，硅基復(fù)合材料在5噸壓力下的壓實(shí)密度為D0，硅基復(fù)合材料中硅的質(zhì)量含量為C0，且0.2≤(1+0.053D0C0?0.753D0)/(D0C0)≤1.3。具有本申請(qǐng)的負(fù)極極片的電化學(xué)裝置具有良好的循環(huán)性能、較小的循環(huán)變形率、高的能量密度和良好的倍率性能。