2S/CdS異質(zhì)結(jié)的多級進(jìn)樣微流控芯片的制備方法,復(fù)合材料"> 2S/CdS異質(zhì)結(jié)的多級進(jìn)樣微流控芯片的制備方法,本發(fā)明公開了一種合成Ag/Ag2S/CdS異質(zhì)結(jié)的多級進(jìn)樣微流控芯片的制備方法。本發(fā)明針對現(xiàn)有合成納米材料技術(shù)的不足,公開了一種合成Ag/Ag2S/CdS異質(zhì)結(jié)的多級進(jìn)樣微流控芯片,其中設(shè)置有CdS微液滴形成區(qū),CdS納米顆?;旌戏磻?yīng)區(qū),Ag2S/CdS微液滴形成區(qū),Ag2S/CdS異質(zhì)結(jié)混合反應(yīng)區(qū),Ag/Ag2S/CdS形成區(qū),實(shí)現(xiàn)了微流控芯片對納米復(fù)合材料合成的有效控制。本發(fā)明設(shè)計(jì)的多級進(jìn)樣微流控芯片結(jié)構(gòu)優(yōu)化,操作方便,實(shí)現(xiàn)了分步進(jìn)樣,能夠合成分散性好">
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