一種GNP/PS?BT/PVDF選擇性復(fù)合薄膜及其制備方法。本發(fā)明屬于介電材料及其制備領(lǐng)域。本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有聚合物基高介電常數(shù)復(fù)合材料損耗因子高、絕緣性能差的技術(shù)問題。本發(fā)明的一種GNP/PS?BT/PVDF選擇性復(fù)合薄膜由BT/PVDF復(fù)合材料和GNP/PS復(fù)合材料經(jīng)粉碎、混煉和熱壓而成，所述GNP/PS?BT/PVDF選擇性復(fù)合薄膜為具有微電容器結(jié)構(gòu)的四元復(fù)合薄膜；其中BT/PVDF復(fù)合材料由BT和PVDF混煉而成，GNP/PS復(fù)合材料由GNP和PS混煉而成。方法：分別先預(yù)混形成GNP/PS復(fù)合材料和BT/PVDF復(fù)合材料，然后再將兩種復(fù)合材料粉碎后混煉，再進(jìn)行熱壓，冷卻后得到GNP/PS?BT/PVDF選擇性復(fù)合薄膜。本發(fā)明的復(fù)合材料內(nèi)部具有微電容器結(jié)構(gòu)，在保證介電常數(shù)顯著提高的同時(shí)仍保持較高的擊穿場強(qiáng)和優(yōu)異的綜合性能。