xOy納米陣列復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用,復(fù)合材料"> xOy納米陣列復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用,本發(fā)明公布了一種導(dǎo)電基材表面生長(zhǎng)CoPxOy納米陣列復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用。本發(fā)明通過γ射線或電子束輻射還原和熱處理的方法,在導(dǎo)電基材上調(diào)控生長(zhǎng)氧摻雜的磷化鈷(CoPxOy)納米陣列(0.5<x<1,0.1<y<0.5),該CoPxOy納米陣列結(jié)構(gòu)具有超親水和超疏氣的性質(zhì),在堿性溶液中電解水制氫性能良好,其中超親水性質(zhì)加快了電解質(zhì)到達(dá)電極表面的傳輸速率,而超疏氣的性質(zhì)提高了氫氣的析出速率,從而進(jìn)一步降低HER的過電勢(shì);氧摻雜的磷化鈷">
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