xOy納米陣列復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用,復(fù)合材料"> xOy納米陣列復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用,本發(fā)明公布了一種導(dǎo)電基材表面生長(zhǎng)CoPxOy納米陣列復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用。本發(fā)明通過γ射線或電子束輻射還原和熱處理的方法,在導(dǎo)電基材上調(diào)控生長(zhǎng)氧摻雜的磷化鈷(CoPxOy)納米陣列(0.5<x<1,0.1<y<0.5),該CoPxOy納米陣列結(jié)構(gòu)具有超親水和超疏氣的性質(zhì),在堿性溶液中電解水制氫性能良好,其中超親水性質(zhì)加快了電解質(zhì)到達(dá)電極表面的傳輸速率,而超疏氣的性質(zhì)提高了氫氣的析出速率,從而進(jìn)一步降低HER的過電勢(shì);氧摻雜的磷化鈷">

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導(dǎo)電基材表面生長(zhǎng)CoPxOy納米陣列復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用

1002   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 16:35:02
本發(fā)明公布了一種導(dǎo)電基材表面生長(zhǎng)CoPxOy納米陣列復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用。本發(fā)明通過γ射線或電子束輻射還原和熱處理的方法,在導(dǎo)電基材上調(diào)控生長(zhǎng)氧摻雜的磷化鈷(CoPxOy)納米陣列(0.5<x<1,0.1<y<0.5),該CoPxOy納米陣列結(jié)構(gòu)具有超親水和超疏氣的性質(zhì),在堿性溶液中電解水制氫性能良好,其中超親水性質(zhì)加快了電解質(zhì)到達(dá)電極表面的傳輸速率,而超疏氣的性質(zhì)提高了氫氣的析出速率,從而進(jìn)一步降低HER的過電勢(shì);氧摻雜的磷化鈷豐富了電子密度,從而提高電導(dǎo)率和加快電解質(zhì)的傳輸速率,有助于提高催化析氫性能。而且,輻射法是可室溫引發(fā)、無需添加引發(fā)劑、高效且條件易于控制,在制備過程中不會(huì)產(chǎn)生劇毒的PH3氣體,對(duì)環(huán)境友好,具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“導(dǎo)電基材表面生長(zhǎng)CoPxOy納米陣列復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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