本發(fā)明涉及與超導(dǎo)量子干涉器(SQUID)配用的 高Tc超導(dǎo)厚膜磁通變換器,主要包括:襯底、高Tc 超導(dǎo)厚膜螺旋線圈,厚膜回線和中間絕緣層,所用超 導(dǎo)材料是Y系或Bi系氧化物,襯底用ZrO, Al2O2,SiTi3O或MgO材料,中間絕緣層采用 Y2BaCuO,BaCuO,ZrO,Al2O3,SrTi3O,PrBa2Cu3O或 MgO材料,螺線與回線之間可以通過不同方式構(gòu)成 閉合回路,所述的變換器與SQUID配用可提高磁場(chǎng) 測(cè)量靈敏度,適用于醫(yī)學(xué)工程以及計(jì)量、地質(zhì)、生物等 技術(shù)領(lǐng)域。
聲明:
“高臨界溫度超導(dǎo)厚膜磁通變換器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)