本發(fā)明公開了一種一體化雜多酸修飾聚苯胺/氮化鈦核殼納米線陣列
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,所述材料包括碳基底(1)、氮化鈦納米線陣列(2)和雜多酸修飾聚苯胺復(fù)合膜(3);所述的氮化鈦納米線陣列(2)直接生長(zhǎng)在碳基底(1)上,并且均勻垂直排列在碳基底表面;所述的雜多酸修飾聚苯胺復(fù)合膜(3)完整包裹在氮化鈦納米線陣列(2)表面;雜多酸修飾聚苯胺復(fù)合膜雜多酸修飾聚苯胺復(fù)合膜本發(fā)明還提供了雜多酸修飾聚苯胺/氮化鈦核殼納米線陣列復(fù)合材料的詳細(xì)制備方法及其在
電化學(xué)儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明所述材料利用聚苯胺固載雜多酸,有效的解決了雜多酸易溶于水溶液難以應(yīng)用于電極材料的缺陷,同時(shí)提升了聚苯胺的容量性質(zhì)。
聲明:
“一體化雜多酸修飾聚苯胺/氮化鈦核殼納米線陣列復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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