本發(fā)明涉及一種半導體基片熱沉復合材料的制備方法,該方法主要步驟:鉭絲預處理,硅襯底預處理,硅片預處理后放入熱絲化學氣相沉積裝置的反應室內作為沉積襯底;抽真空后通入反應物氫氣和丙酮,進行微米晶金剛石薄膜成核;調節(jié)丙酮和氫氣流量及溫度等條件,進行微米晶金剛石薄膜生長;然后進行納米晶金剛石薄膜生長:調節(jié)丙酮和氫氣的流量,襯底溫度控制在600～650℃,薄膜生長時間3～5小時,由此獲得表面比較光滑的金剛石復合薄膜,即為半導體基片熱沉的復合材料。本發(fā)明設備簡單、生長速度快、質量較好、易實現(xiàn)大面積沉積等優(yōu)點。