本發(fā)明屬于材料生產(chǎn)領(lǐng)域，具體涉及一種滿足5G高頻高速技術(shù)所要求的低熱膨脹復(fù)合材料的制備工藝；本發(fā)明通過(guò)納米碳化硅對(duì)多孔石墨烯的孔隙進(jìn)行填充；再將超支化聚酰胺投入混合液中，超支化聚酰胺通過(guò)作用力較強(qiáng)的化學(xué)鍵緊密且交錯(cuò)地排列在多孔石墨烯的表面及其孔隙的內(nèi)壁中，最終在其表面形成一層密集排布的三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，對(duì)填充在多孔石墨烯孔隙中的納米碳化硅進(jìn)行有效地“固定”；通過(guò)納米碳化硅的填充作用，不僅使得所制備的多孔石墨烯具有很好的導(dǎo)熱性能，而且其本身還具有很好的低熱膨脹性能；其與UIO?66、CuO及WO3共同作為制備復(fù)合材料的原料，進(jìn)一步提高了復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能，同時(shí)使其具有低熱膨脹率的特點(diǎn)。