本發(fā)明公開了一種g?C3N4包覆NiCo2O4納米復(fù)合材料及其制法，首先是將NiCo2O4生長在集流體上，然后將g?C3N4生長在所述NiCo2O4的表面，形成對(duì)NiCo2O4的包覆，從而得到g?C3N4包覆NiCo2O4復(fù)合材料，本發(fā)明創(chuàng)造性的利用g?C3N4在超級(jí)電容器中的N型“空穴”缺陷，能夠非常牢固的包覆在NiCo2O4上形成包覆膜，最終得到核殼結(jié)構(gòu)的g?C3N4包覆NiCo2O4復(fù)合材料，且本發(fā)明將g?C3N4包覆NiCo2O4能充分利用g?C3N4表面官能團(tuán)能提供豐富的活性位點(diǎn)，使得到的復(fù)合材料具有優(yōu)異的性能，且g?C3N4具有二維層狀材料獨(dú)特的機(jī)械強(qiáng)度能提高材料整體的循環(huán)穩(wěn)定性。