一種提高單疇YBCO超導(dǎo)塊臨界電流的方法，屬于功能材料領(lǐng)域。其特征 是在單疇YBCO超導(dǎo)塊先驅(qū)粉中摻雜粒徑20～100nm的SiO2納米粉末，將SiO2 納米粉末按相對(duì)于YBCO超導(dǎo)塊先驅(qū)粉的0.02～1wt％的比例加入該先驅(qū)粉末中， 經(jīng)球磨混合均勻后，用單軸模壓成型，再采用頂部籽晶輔助熔融織構(gòu)生長(zhǎng)工藝 (TSMTG)生成單疇結(jié)構(gòu)的YBCO超導(dǎo)塊。SiO2納米粉末的制備工藝為：將正 硅酸四乙酯、無(wú)水乙醇和去離子水按體積比1∶1-3∶1-3配成清澈透明溶液，經(jīng) 水浴、攪拌形成乳白色凝膠；再經(jīng)形成干凝膠后研磨成細(xì)粉，經(jīng)400-700℃焙燒 0.5-2.5小時(shí)即得到粒徑20～100nm的SiO2納米粉末。本發(fā)明有效提高了單疇 YBCO超導(dǎo)塊材寬場(chǎng)范圍內(nèi)的臨界電流。