本發(fā)明提供一種用于生長LaBSiO5晶體或激活離子摻雜LaBSiO5晶體的方法，采用熔鹽法制備，熔鹽體系中包括LaBO3、Li2MoO4、SiO2化合物。用x1、x2、x3?分別表示體系中LaBO3、Li2MoO4和SiO2的摩爾百分含量，則這三種化合物的含量比需滿足：0< x1< 0.3, 0.7≤x2< 1, 0< x3< 0.3且x1+x2+x3=1；晶體的生長溫度區(qū)間為1000℃?850℃。在制備LaBSiO5晶體時，可向其中摻雜Y3+、Tm3+、Eu3+離子等，這些激活離子替代晶格中的La3+或者B3+離子，從而制備出激活離子摻雜的LaBSiO5晶體。涉及光電子功能材料技術(shù)領(lǐng)域。