本發(fā)明提供了一種三維封裝互連焊點下Cu6Sn5相單晶元素擴散阻擋層的合成方法,包括:1)Cu6Sn5相單晶薄層制備;2)銅焊盤表面蒸鍍錫層;3)Cu6Sn5相單晶薄層轉(zhuǎn)移;4)Cu6Sn5相單晶薄層與銅基焊盤冶金互連。所得Cu6Sn5相單晶元素擴散阻擋層結(jié)構(gòu)的元素擴散阻擋能力是傳統(tǒng)鎳基元素擴散阻擋層結(jié)構(gòu)的72倍以上,是Cu6Sn5相多晶元素擴散阻擋層結(jié)構(gòu)的144.3倍以上。具備成為替代現(xiàn)有三維封裝互連焊點下元素擴散阻擋層結(jié)構(gòu)的潛力,有極高的工業(yè)應(yīng)用價值。
聲明:
“三維封裝互連焊點下Cu6Sn5相單晶擴散阻擋層的合成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)