權(quán)利要求書： 1.一種薄層SiO2鈍化膜的制備方法，其特征在于，具體包括如下步驟： 1)首先提供一種鏈式連續(xù)鍍膜的等離子激發(fā)的沉積鍍膜設備； 2)通過連續(xù)輸送機構(gòu)將載有硅片(40)的載板連續(xù)輸送至鏈式PECD設備的工藝腔體(10)內(nèi)實現(xiàn)鍍膜； 3)在工藝腔體(10)內(nèi)，SiH4和O2分別從不同區(qū)域出氣，通過等離子源(20)的電極板出氣孔出02，同時從等離子源(20)的電極板側(cè)面的分氣塊(30)出SiH4，SiH4和O2兩種氣體通過不同管路進入到工藝腔體(10)的不同區(qū)域流出，在1?20Pa的真空下相遇混合并在連續(xù)輸送的硅片(40)表面形成SiO2鈍化膜；其中，O2直接進入到腔體后在射頻能量下由等離子體優(yōu)先將O2分解成活性氧離子，活性氧離子往下輸運到硅片(40)表面時與從分氣塊(30)出來的SiH4相遇，這時活性氧離子迅速將SiH4氧化并在硅片(40)表面生成Si02薄膜,反應方程式為：SiH4+2O2→SiO2+2H2O。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄層SiO2鈍化膜的制備方法，其特征在于，硅片(40)在輸送進入鏈式PECD設備工藝腔體(10)內(nèi)之前進行預熱，且在工藝腔內(nèi)設置加熱板對硅片(40)在線連續(xù)加熱，使硅片(40)在經(jīng)過工藝腔體(10)的過程中保持溫度在200?400℃之間，以進一步提高SiO2鈍化膜的膜層質(zhì)量。 3.一種太陽能電池，其特征在于，基于權(quán)利要求1或2所述的一種薄層SiO2鈍化膜的制備方法制備而成。 4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種太陽能電池，其特征在于，為Topcon、POLO、IBC、PERC電池中的任一種。 說明書： 一種薄層SiO2鈍化膜的制備方法及制備的電池技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及高效太陽能電池制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種Topcon、POLO、IBC、PERC等電池中SiO2鈍化膜的制備方法以及制備的Topcon、POLO、IBC、PERC等電池。 背景技術(shù)[0002] 近年來，隨著晶硅太陽能電池的研究和發(fā)展，理論和實踐都證明表面鈍化是電池效率提升的必經(jīng)之路，氧化鋁薄層鈍化在PERC電池上獲得廣泛推廣。但是用摻雜多晶硅和 氧化硅疊層鈍化效果更佳，是下一代量產(chǎn)技術(shù)發(fā)展的前景，這是由于氧化硅在晶體硅表面 的起到化學鈍化作用，而摻雜