真空爐用無落差暗流澆鑄的設備 1274     

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本實用新型公開了一種真空爐用無落差暗流澆鑄的設備，屬于高純鋁真空冶煉技術(shù)領域。該設備包括真空中頻熔煉爐、石墨坩堝、出鋁溜槽、旋轉(zhuǎn)溜槽和固定溜槽；所述真空中頻熔煉爐的筒狀爐體內(nèi)放置石墨坩堝，石墨坩堝的上端設有坩堝上沿，坩堝上沿上開設豎直方向貫通的缺口形成流液通道，流液通道依次連接出鋁溜槽、真空擋板閥、旋轉(zhuǎn)溜槽和固定溜槽；鋁熔體澆注時，真空中頻熔煉爐爐體傾轉(zhuǎn)，石墨坩堝中的鋁熔體經(jīng)流液通道流出，再經(jīng)澆注組件直至結(jié)晶器完成無落差落鑄。本實用新型通過真空爐配套無落差出鋁溜槽的結(jié)構(gòu)設計能夠控制熔煉及澆鑄過程熔體的穩(wěn)定狀態(tài)，避免熔體落差及擾動等造成氣渣卷入，最終實現(xiàn)低氣低渣的高品質(zhì)高純鋁產(chǎn)品制備。

廢棄RH鎂鉻磚無害化處理的工藝 796     

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本發(fā)明提供的一種廢棄RH鎂鉻磚無害化處理的工藝，收集轉(zhuǎn)爐廢棄的鎂鉻磚，其成分含量為 : W(Cr2O3)% : 38-58；W(SiO2)% : 15-30；W(Al2O3)% : 5-25；W(MgO)% : 7-22；將0.5-1.5mm鎂鉻磚與0.5mm鱗狀石墨粉與1mm的鉻鐵礦，以質(zhì)量百分比45 : 2 : 53的比例置于錐形混合機中混合，其中每次投料量為1000kg，投料完畢，攪拌28-33min，制得顆粒填料；在冶煉50CrV鋼種前，通過溜管人工向EBT內(nèi)腔加入顆粒填料，加量以超過內(nèi)腔上部法蘭邊沿為準，其中用電爐生產(chǎn)的含鉻鋼種，其成分含量為：Si：0.20-30%；Mn：0.80-0.90%；C：0.50-0.54%；Cr：1.0-1.10%; V：0.15-0.20%；P：0.015-0.020%；S：0.010-0.015%。

雙層負溫度系數(shù)熱敏電阻及其制備方法 928     

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本發(fā)明涉及一種雙層負溫度系數(shù)熱敏電阻及其制備方法。該電阻是由A層MgAl2O4?和B層LaCrO3?組成雙層結(jié)構(gòu)，或A層MgAl2O4?摻雜物Mg1?xMxAl2O4與B層LaCrO3組成雙層結(jié)構(gòu)，或A層MgAl2O4?與B層LaCrO3摻雜物La1?xMxCrO3組成雙層結(jié)構(gòu)，或A層MgAl2O4?摻雜物Mg1?xMxAl2O4與B層LaCrO3摻雜物La1?xMxCrO3組成雙層結(jié)構(gòu)，經(jīng)測試：本發(fā)明所述的雙層負溫度系數(shù)熱敏電阻的電阻率范圍為342—5.5×108Ω·cm，A層與B層的摩爾數(shù)之比為：A?/?B=0.28?2.33。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制備的雙層?NTC?熱敏電阻工作范圍寬，可適用于室溫到1000℃，高溫下電性能穩(wěn)定，制備流程簡單高效。

含鋁鈦合金的短流程制備方法 1068     

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本發(fā)明公開了一種含鋁鈦合金的短流程制備方法。以普通海綿鈦、或鈦基海綿合金（通過將鈦、鋁、錫、鉬等的冶金，鈦與鋁、錫、鋯、鉬等元素合金化，合并在一個工藝過程中完成所制備）為原料，采用電子束或等離子體或感應或真空自耗電弧熔煉技術(shù)，一次熔煉、鑄造，得到低成本、高品質(zhì)的鈦合金鑄錠。原料成本低，取消了傳統(tǒng)工藝所要求的多組元合金元素的備料工藝，取消了鈦合金錠的反復重熔鑄造（熔鑄2?4次）工藝，簡化了工藝、縮短了流程，降低了熔鑄成本，提高了熔鑄效率。由于高溫、高真空熔鑄次數(shù)減少近70%，大幅度降低鋁、錫、錳等的氧化、揮發(fā)損失，合金成分更容易控制，鑄錠質(zhì)量大大提高。