一種用于高方阻topcon電池p+面的銀鋁漿及其制備方法 技術(shù)領(lǐng)域 1.本發(fā)明涉及電池電極漿料領(lǐng)域，具體涉及一種用于高方阻topcon電池p+面的銀鋁漿及其制備方法。 背景技術(shù)： 2.隧穿氧化層鈍化接觸太陽能電池(topcon)是一種使用超薄氧化層作為鈍化層結(jié)構(gòu)的電池。topcon電池以n型硅基板為主，通過一層超薄的氧化層和一層摻雜硅薄層在電池硅基板的背面形成鈍化結(jié)構(gòu)；topcon電池正面鈍化接觸的機(jī)理是：在電池片的燒結(jié)過程中，漿料中的玻璃體先軟化，腐蝕電池正面最外層沉積的氮化硅和氧化鋁，玻璃體的軟化點(diǎn)越低，活性越大，對(duì)氮化硅和氧化鋁的腐蝕性就越高，所形成的接觸也越好；腐蝕掉氮化硅和氧化鋁層以后，銀鋁漿中的鋁和銀與露出來的硅基底反應(yīng)，形成銀鋁硅刺，此時(shí)鋁顆粒越大，活性越大，鋁顆粒的軟化點(diǎn)越低，流動(dòng)性越好，所形成的銀鋁刺也越大，而銀鋁硅刺越大，雖可形成較好的接觸，但造成的金屬復(fù)合也越大；由此可見，若單純選用較低軟化點(diǎn)的玻璃體和大顆粒的鋁粉降低電池的接觸電阻率，會(huì)形成較大的鋁刺，對(duì)金屬復(fù)合造成很大的影響；因此，為了形成較低的金屬復(fù)合和良好的接觸，需要形成小而密集的銀鋁刺。 3.目前的topcon電池正面受到所使用漿料的影響，摻雜濃度均≥1019，方阻為80-120ω；普通的銀鋁漿在超過120ω方阻的topcon電池的p+面上無法實(shí)現(xiàn)良好的接觸，接觸電阻率一般＞5mω.cm2，使電池的串聯(lián)電阻rs相對(duì)較高；topcon電池正面接觸的摻雜濃度越低，方阻越大，接觸就越難；但是摻雜濃度低也會(huì)使電池正面金屬復(fù)合變小，對(duì)電池的開壓有增益，因此高方阻低摻雜的topcon電池會(huì)成為未來topcon電池的主流結(jié)構(gòu)。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 4.本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種在高方阻topcon電池的p+面上有良好的接觸效果，且具有較低復(fù)合的銀鋁漿及其制備方法。 5.為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：一種用于高方阻topcon電池p+面的銀鋁漿，包含以下重量百分比的組分：銀粉70-89％、納米銀線1-5％、鋁粉1-10％、鋁合金0.5-1％、玻璃粉1-8％、有機(jī)載體1-10％；所述玻璃粉中包含氧化銀，所述鋁合金為鋁鋅合金和鋁硼合金中的至少一種。 6.本發(fā)明選用納米銀線搭配銀粉作為銀鋁漿的組分，納米銀線除了具有優(yōu)良的導(dǎo)電性之外，還因?yàn)槠浼{米級(jí)別的尺寸效應(yīng)而具