1.本發(fā)明屬于釹鐵硼磁體表面處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種磷化釹鐵硼磁體的后處理方法，還涉及該后處理方法在制備釹鐵硼磁體中的應(yīng)用。

背景技術(shù)：

2.釹鐵硼作為一種磁性材料被廣泛運(yùn)用于航天、醫(yī)療、軍事等各個(gè)領(lǐng)域。釹鐵硼是一種多元素粉末合金材料，在其生產(chǎn)過(guò)程中因?yàn)樘砑恿硕喾N稀土元素而變得極易氧化，為了防止磁體氧化、延長(zhǎng)其使用壽命，我們一般都會(huì)對(duì)其進(jìn)行表面處理，電鍍、噴涂、磷化等多種表面處理方法被廣泛運(yùn)用于該領(lǐng)域。

3.磷化作為釹鐵硼磁體常規(guī)的表面處理方法，且優(yōu)點(diǎn)是成本低、操作簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是防腐性能差，往往僅用于短時(shí)間的防腐，解決磁體在包裝和運(yùn)輸過(guò)程中不被氧化，后續(xù)在通過(guò)噴漆、注塑等方法提高防腐能力。

4.由于磁體本身易氧化和磷化膜防腐能力差的特點(diǎn)，磁體在磷化后干燥的過(guò)程中受溫度、和氧氣的影響，使得磷化后釹鐵硼磁體的耐腐蝕性能較差，容易生銹，所以干燥過(guò)程很多時(shí)候是通過(guò)小批量、手工進(jìn)行，通過(guò)縮短干燥時(shí)間來(lái)減少生銹不合格的比例；如圖1所示的，在水洗過(guò)后利用熱空氣對(duì)其進(jìn)行干燥，此外，干燥過(guò)程中，需要對(duì)磁體進(jìn)行不斷的翻轉(zhuǎn)已實(shí)現(xiàn)受熱均勻的目的，但翻轉(zhuǎn)過(guò)程中，相互摩擦容易對(duì)磷化膜的致密性產(chǎn)生負(fù)面影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

5.有鑒于此，本發(fā)明有必要提供一種磷化釹鐵硼磁體的后處理方法，磷化后的釹鐵硼磁體在相對(duì)靜止的狀態(tài)下即可完成干燥，干燥時(shí)間短，能耗低，且干燥后的釹鐵硼磁體耐蝕性能得到顯著提高。

6.為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

7.本發(fā)明提供了一種磷化釹鐵硼磁體的后處理方法，包括下列步驟：

8.將釹鐵硼磁體進(jìn)行磷化，獲得磷化釹鐵硼磁體；

9.水洗所述磷化釹鐵硼磁體；

10.將水洗后的磷化釹鐵硼磁體置于惰性氣體中干燥。

11.進(jìn)一步方案，所述干燥的步驟，具體為：

12.向干燥設(shè)備內(nèi)通入惰性氣體排空其中的空氣，并使得干燥設(shè)備內(nèi)充滿(mǎn)惰性氣體；

13.將水洗后的釹鐵硼磁體置于所述干燥設(shè)備內(nèi)進(jìn)行干燥。

14.進(jìn)一步方案，所述干燥的過(guò)程中，所述干燥設(shè)備內(nèi)始終充滿(mǎn)所述惰性氣體。

15.進(jìn)一步方案，所述干燥的溫度在60℃-90℃，時(shí)間在3-8min。

16.進(jìn)一步方案，所述惰性氣體選自0族稀有氣體或氮?dú)狻?br />
17.本發(fā)明進(jìn)一步提供了如前述任一項(xiàng)所述的后處理方法在制備釹鐵硼磁體中的應(yīng)用。

18.與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

19.本發(fā)明中的后處理方法，可以使得磷化后釹鐵硼磁體在相對(duì)靜置的狀態(tài)下完成干燥，操作簡(jiǎn)單，干燥時(shí)間短，干燥溫度低，可降低后處理過(guò)程中的能耗。最為重要的是通過(guò)本發(fā)明中的后處理方法干燥后的釹鐵硼磁體耐蝕性能顯著提高。

20.該后處理方法可提高生產(chǎn)效率和正品率。

附圖說(shuō)明

21.圖1為現(xiàn)有的磷化后釹鐵硼磁體的后處理工藝流程；

22.圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例中磷化后釹鐵硼磁體的后處理工藝流程。

具體實(shí)施方式

23.為了便于理解本發(fā)明，下面將結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)施方式的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容理解的更加透徹全面。

24.除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施方式的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。

25.本發(fā)明第一方面提供了一種磷化釹鐵硼磁體的后處理方法，如圖2中所示的，包括下列步驟：

26.將釹鐵硼磁體進(jìn)行磷化，獲得磷化釹鐵硼磁體；

27.水洗所述磷化釹鐵硼磁體；

28.將水洗后的磷化釹鐵硼磁體置于惰性氣體中干燥。

29.在原有工藝的基礎(chǔ)上，將水洗后的磷化釹鐵硼置于惰性氣氛中干燥，一方面操作簡(jiǎn)單，干燥時(shí)間短，能夠顯著的降低能耗；另一方面，干燥后能夠明顯提高磷化釹鐵硼的耐腐蝕能力，提高釹鐵硼磁體的正品率。

30.可以理解的是，本文中所述的磷化、水洗等均為本領(lǐng)域中常規(guī)的釹鐵硼生產(chǎn)處理工藝，沒(méi)有特別的限定，故這里不再具體闡述。

31.根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述干燥的步驟，具體為：向干燥設(shè)備內(nèi)通入惰性氣體排空其中的空氣，并使得干燥設(shè)備內(nèi)充滿(mǎn)惰性氣體；將水洗后的釹鐵硼磁體置于所述干燥設(shè)備內(nèi)進(jìn)行干燥；優(yōu)選的，在所述干燥的過(guò)程中，所述干燥設(shè)備內(nèi)始終充滿(mǎn)所述惰性氣體?？梢岳斫獾氖?，這里的干燥設(shè)備沒(méi)有特別的限定，可在現(xiàn)有的干燥設(shè)備的基礎(chǔ)上進(jìn)行，需要注意的是，要保證足夠的密封性，此外，還可以對(duì)干燥設(shè)備內(nèi)的惰性氣體進(jìn)行監(jiān)控，如不滿(mǎn)足閾值要求，則及時(shí)進(jìn)行惰性氣體的補(bǔ)充，保證整個(gè)干燥過(guò)程中，干燥設(shè)備內(nèi)始終充滿(mǎn)惰性氣體。這種干燥方式相較于傳統(tǒng)的熱空氣干燥效果更好，且無(wú)需在不斷翻轉(zhuǎn)磁體，可在相對(duì)靜止的條件下短時(shí)間內(nèi)迅速干燥；相較于真空干燥，由于傳統(tǒng)的燒結(jié)爐抽真空到0.1pa用時(shí)都會(huì)在30min以上，耗時(shí)長(zhǎng)且加熱過(guò)程耗時(shí)多，能耗高，且效率低下。

32.根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述干燥的溫度在60℃-90℃，時(shí)間在3-8min。

33.本文中所述的惰性氣體沒(méi)有特別的限定，所述惰性氣體選自0族稀有氣體(如氦氣、氬氣等)或氮?dú)狻?br />
34.本發(fā)明第二方面提供了如本發(fā)明第一方面所述的后處理方法在制備釹鐵硼磁體

中的應(yīng)用，在任意釹鐵硼制備的工藝中，引入該后處理方法可有效提高釹鐵硼磁體的耐腐蝕能力。

35.下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明，需要說(shuō)明的是，下面的具體實(shí)施例僅僅是用于說(shuō)明的目的，而不以任何方式限制本發(fā)明的范圍，另外，如無(wú)特別說(shuō)明，未具體記載條件或者步驟的方法均為常規(guī)方法，所采用的試劑和材料均可從商業(yè)途徑獲得。

36.以下實(shí)施例和對(duì)比例中的測(cè)試項(xiàng)目具體如下：

37.濕熱實(shí)驗(yàn)：溫度85℃

±

3℃、濕度100％rh；

38.鹽水浸泡實(shí)驗(yàn)：3％的氯化鈉溶液；

39.外觀(guān)檢測(cè)：目視。

40.對(duì)比例1

41.取5kg釹鐵硼磁體，于35℃低溫磷化15min后，水洗2min，然后采用吹風(fēng)機(jī)熱風(fēng)對(duì)磷化釹鐵硼干燥5min，其中，干燥溫度為75℃，干燥過(guò)程中對(duì)釹鐵硼磁體不斷的翻轉(zhuǎn)。

42.隨機(jī)取干燥后的釹鐵硼磁體，分別進(jìn)行濕熱實(shí)驗(yàn)、鹽水浸泡實(shí)驗(yàn)和外觀(guān)檢測(cè)，結(jié)果如表1和表2中所示的。

43.表1濕熱實(shí)驗(yàn)和鹽水浸泡實(shí)驗(yàn)結(jié)果

44.類(lèi)別數(shù)量(片)10h12h15h濕熱實(shí)驗(yàn)10沒(méi)有變化沒(méi)有變化4片生銹浸泡實(shí)驗(yàn)10沒(méi)有變化沒(méi)有變化全數(shù)生銹

45.表2全檢200片磁體外觀(guān)檢測(cè)結(jié)果

46.類(lèi)別數(shù)量(片)輕微腐蝕(片)不合格率合格率外觀(guān)檢驗(yàn)20021％99％

47.實(shí)施例1

48.采用同對(duì)比例1相同的實(shí)施方式，不同之處在于：將水洗后的磷化釹鐵硼置于充滿(mǎn)氮?dú)獾母稍镌O(shè)備中干燥5min，干燥溫度為75℃。

49.隨機(jī)取干燥后的釹鐵硼磁體，分別進(jìn)行濕熱實(shí)驗(yàn)、鹽水浸泡實(shí)驗(yàn)和外觀(guān)檢測(cè)，結(jié)果如表3和表4中所示的。

50.表3濕熱實(shí)驗(yàn)和鹽水浸泡實(shí)驗(yàn)結(jié)果

51.類(lèi)別數(shù)量(片)10h12h15h濕熱實(shí)驗(yàn)10沒(méi)有變化沒(méi)有變化沒(méi)有變化浸泡實(shí)驗(yàn)10沒(méi)有變化沒(méi)有變化沒(méi)有變化

52.表4全檢200片磁體外觀(guān)檢測(cè)結(jié)果

53.類(lèi)別數(shù)量(片)輕微腐蝕(片)不合格率合格率外觀(guān)檢驗(yàn)20000100％

54.實(shí)施例2

55.采用同對(duì)比例1相同的實(shí)施方式，不同之處在于：將水洗后的磷化釹鐵硼置于充滿(mǎn)氦氣的干燥設(shè)備中干燥8min，干燥溫度為60℃。

56.實(shí)施例3

57.采用同對(duì)比例1相同的實(shí)施方式，不同之處在于：將水洗后的磷化釹鐵硼置于充滿(mǎn)

氬氣的干燥設(shè)備中干燥3min，干燥溫度為90℃。

58.將實(shí)施例2和實(shí)施例3中干燥后的釹鐵硼磁體進(jìn)行與實(shí)施例1中相同的濕熱和鹽水浸泡實(shí)驗(yàn)，結(jié)果與實(shí)施例1相同，濕熱15h及鹽水浸泡15h后，釹鐵硼磁體沒(méi)有變化，磁體外觀(guān)合格率可達(dá)100％。

59.以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書(shū)記載的范圍。

60.以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。技術(shù)特征：

1.一種磷化釹鐵硼磁體的后處理方法，其特征在于，包括下列步驟：將釹鐵硼磁體進(jìn)行磷化，獲得磷化釹鐵硼磁體；水洗所述磷化釹鐵硼磁體；將水洗后的磷化釹鐵硼磁體置于惰性氣體中干燥。2.如權(quán)利要求1所述的后處理方法，其特征在于，所述干燥的步驟，具體為：向干燥設(shè)備內(nèi)通入惰性氣體排空其中的空氣，并使得干燥設(shè)備內(nèi)充滿(mǎn)惰性氣體；將水洗后的釹鐵硼磁體置于所述干燥設(shè)備內(nèi)進(jìn)行干燥。3.如權(quán)利要求2所述的后處理方法，其特征在于，所述干燥的過(guò)程中，所述干燥設(shè)備內(nèi)始終充滿(mǎn)所述惰性氣體。4.如權(quán)利要求1所述的后處理方法，其特征在于，所述干燥的溫度在60℃-90℃，時(shí)間在3-8min。5.如權(quán)利要求1所述的后處理方法，其特征在于，所述惰性氣體選自0族稀有氣體或氮?dú)狻?.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的后處理方法在制備釹鐵硼磁體中的應(yīng)用。

技術(shù)總結(jié)

本發(fā)明公開(kāi)了一種磷化釹鐵硼磁體的后處理方法及應(yīng)用，主要步驟有：將釹鐵硼磁體進(jìn)行磷化，獲得磷化釹鐵硼磁體；水洗所述磷化釹鐵硼磁體；將水洗后的磷化釹鐵硼磁體置于惰性氣體中干燥。該后處理方法可將磷化后的釹鐵硼磁體在相對(duì)靜止的狀態(tài)下即可完成干燥，干燥時(shí)間短，能耗低，且干燥后的釹鐵硼磁體耐蝕性能得到顯著提高，具有明顯的進(jìn)步。具有明顯的進(jìn)步。具有明顯的進(jìn)步。

技術(shù)研發(fā)人員：時(shí)宗華 劉明輝 曹林峰 趙占中 陳靜武

受保護(hù)的技術(shù)使用者：大地熊(包頭)永磁科技有限公司

技術(shù)研發(fā)日：2022.01.12

技術(shù)公布日：2022/5/17