本發(fā)明設(shè)計(jì)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種金屬電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)。測(cè)試結(jié)構(gòu)分為電遷移被測(cè)結(jié)構(gòu)、電遷移阻擋結(jié)構(gòu)、測(cè)試端口和探測(cè)端口。電遷移被測(cè)結(jié)構(gòu)與電遷移阻擋結(jié)構(gòu)相連,位于測(cè)試端口之間。測(cè)試結(jié)構(gòu)具有三個(gè)探測(cè)端口,其中兩個(gè)探測(cè)端口用來精確的確定電遷移被測(cè)結(jié)構(gòu)是否失效,另一個(gè)探測(cè)端口用來探測(cè)精確的電遷移被測(cè)結(jié)構(gòu)的溫度,從而提升測(cè)試的準(zhǔn)確度。
聲明:
“金屬電遷移測(cè)試結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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