本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體元件的分析方法,此方法包括提供半導(dǎo)體元件,且半導(dǎo)體元件上具有異常區(qū)域。接著,對(duì)異常區(qū)域進(jìn)行聚焦式離子束顯微鏡分析程序,其中聚焦式離子束分析程序的結(jié)果顯示異常區(qū)域具有缺陷。在聚焦式離子束分析程序之后,對(duì)異常區(qū)域進(jìn)行電性檢測(cè)步驟,以判斷異常區(qū)域中的缺陷是否為元件真正失效缺陷。
聲明:
“半導(dǎo)體元件的分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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