本發(fā)明涉及一種確定半導(dǎo)體器件失效位置的方法，包括步驟S1：對所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行失效位置分析，以找到目標(biāo)位置；步驟S2：在所述目標(biāo)位置所在的平面上、在所述目標(biāo)位置的周圍制作若干第一標(biāo)識，以標(biāo)記所述目標(biāo)位置；步驟S3：以所述第一標(biāo)識為標(biāo)記對所述目標(biāo)位置進(jìn)行定位，并在所述半導(dǎo)體器件中制備包含所述目標(biāo)位置的切片樣品，露出所述切片樣品的底部，并且在露出的所述底部上制作第二標(biāo)識，以在失效分析中定位所述目標(biāo)位置；步驟S4：將包含所述目標(biāo)位置和所述第二標(biāo)識的切片樣品從所述半導(dǎo)體器件中分離，以得到獨(dú)立的切片樣品；步驟S5：根據(jù)所述第二標(biāo)識的位置確定所述目標(biāo)位置，并對所述目標(biāo)位置進(jìn)行TEM分析。