本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件失效檢測(cè)方法,用于對(duì)所述半導(dǎo)體器件的柵極與源極之間進(jìn)行短路檢測(cè),所述半導(dǎo)體器件至少包括:襯底、在所述襯底上層疊排列的多層?xùn)艠O層、在所述襯底上表面分立分布的多個(gè)源極區(qū)、所述襯底的接觸栓塞和所述柵極層的接觸栓塞;其中,所述襯底與所述源極區(qū)之間形成PN結(jié);所述方法包括以下步驟:在所述襯底的接觸栓塞與所述柵極層的接觸栓塞之間加電壓,測(cè)量流過所述襯底的接觸栓塞與所述柵極層的接觸栓塞的電流值;基于所述電流值的測(cè)量結(jié)果,判斷所述半導(dǎo)體器件的柵極與源極之間是否短路。
聲明:
“半導(dǎo)體器件失效檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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