本實(shí)用新型揭示了一種失效檢測(cè)結(jié)構(gòu)。所述失效檢測(cè)結(jié)構(gòu)包括：形成于半導(dǎo)體基底上的參考部分和檢測(cè)部分；所述參考部分和檢測(cè)部分皆包括位于所述半導(dǎo)體基底上的第一輔助金屬、覆蓋所述半導(dǎo)體基底和第一輔助金屬的介質(zhì)層、位于所述介質(zhì)層上的中央金屬和圍繞所述中央金屬的第二輔助金屬、以及位于所述中央金屬上的插塞，所述第二輔助金屬與所述中央金屬之間具有一溝槽；所述參考部分中插塞與中央金屬的邊緣的距離大于所述檢測(cè)部分中插塞與中央金屬的邊緣的距離。通過(guò)比較參考部分和檢測(cè)部分相應(yīng)的漏電流，能夠判斷出缺陷類型，并得到較為精確的缺陷數(shù)據(jù)。本實(shí)用新型降低了檢測(cè)成本，提高了檢測(cè)效率。