本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N制備失效分析樣品的方法。該方法包括:步驟S1.提供樣品,該樣品的待測(cè)表面分為第一表面區(qū)域和第二表面區(qū)域;步驟S2.利用油性物質(zhì)將第一表面區(qū)域覆蓋;步驟S3.在第二表面區(qū)域設(shè)置多個(gè)通孔,通孔延伸至樣品的基底表面;步驟S4.在待測(cè)表面和通孔中設(shè)置金屬;以及步驟S5.去除油性物質(zhì)。本申請(qǐng)?zhí)峁┑姆椒ㄍㄟ^在去除覆蓋在第一表面區(qū)域的油性物質(zhì)時(shí)同時(shí)去除附著在其上的金屬,從而使第一表面區(qū)域的樣品表面裸露;而第一表面區(qū)域在受到轟擊時(shí)產(chǎn)生二次電子,與二次電子對(duì)應(yīng)的正電荷被位于其周圍的金屬導(dǎo)出,由此產(chǎn)生的二次電子成像能夠反映該處的原始表面形貌。
聲明:
“制備失效分析樣品的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)