本申請公開了一種確定GaN cascode器件失效位置的測試分析方法，屬于半導(dǎo)體芯片的可靠性測試領(lǐng)域。技術(shù)要點(diǎn)是：對器件的柵極漏電水平Igss進(jìn)行測量；對器件在關(guān)態(tài)低漏級電壓下的漏級漏電水平Idss@LV進(jìn)行測量；對器件在關(guān)態(tài)高漏級電壓下的漏電水平Idss@HV進(jìn)行測量；通過測試結(jié)果分析對照表可以確定器件內(nèi)部的失效位置，同時(shí)明確器件失效的原理和模型。有益效果：本發(fā)明所述的確定GaN cascode器件失效位置的測試分析方法將傳統(tǒng)測試的繁瑣流程簡化為三步，且無需解封步驟，在保證測試分析結(jié)果準(zhǔn)確性同時(shí)能快速準(zhǔn)確地得出器件的失效位置和原理。