本發(fā)明公開了一種非接觸無損傷的測量外延SOI外延層電阻率的方法，該方法針對外延SOI外延層進(jìn)行電阻率的測量，為了達(dá)到測量精準(zhǔn)的效果，首先對外延SOI表面進(jìn)行特定的預(yù)處理，使表面的缺陷及電學(xué)參數(shù)達(dá)到所需要求。再施加特定電壓，根據(jù)C-V曲線算出電阻率。最終結(jié)果誤差小于0.1％。本發(fā)明為非接觸式測量，具有非破壞性、無損傷性、可重復(fù)利用等優(yōu)點(diǎn)。在實(shí)際生產(chǎn)中，被測外延SOI仍然可以使用。大大的提高了產(chǎn)品良率，節(jié)約了成本。