本發(fā)明公開了一種用于鍵合工藝的硅襯底拋光片的制備方法，包括以下步驟：(1)采用磁場拉晶法進行拉晶，磁場類型為水平磁場，磁場強度為1000?5000高斯，磁場形狀為馬鞍形，晶轉為5?15rpm，堝轉為0.1?3rpm；控制晶體生長時液面位置+/?0.5mm波動范圍；(2)進行滾磨及線切割；(3)進行倒角輪廓設計與加工，進行四次倒角，分別使用800#導輪粗倒2次，1000?3000#導輪精倒2次，使用非對稱倒角，輪廓幅長X1大于600μm，X2小于300μm；(4)進行研磨腐蝕，先進行堿腐蝕，再進行酸腐蝕，堿腐蝕去除量控制在5?15μm，酸腐蝕去除量控制在15?20μm；(5)進行拋光，拋光轉速控制在30?50rpm，壓力控制在300?500kg，化學液濃度控制在1∶15?1∶30，pH值控制在9?13，蠟膜厚度控制在1?3μm；(6)進行清洗檢測；(7)進行邊緣形狀評估。