本發(fā)明提供了一種太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中的低壓擴散工藝，屬于太陽能電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。它解決了現(xiàn)有的太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中硅片表面擴散不均勻等技術(shù)問題。本低壓擴散工藝包括以下步驟：a、抽真空：將硅片放置到擴散爐的反應腔室，使用真空泵將擴散爐的反應腔室抽成50?mbar～150mbar的真空狀態(tài)；b、充氣體:將少量氮氣與三氯氧磷沖入擴散爐的反應腔室內(nèi)；c、低壓擴散：保持反應腔室內(nèi)壓力不變，低壓擴散時間為700S～900S；d、檢測：檢測低壓擴散結(jié)果，使硅片表面方塊電阻80Ω～120Ω／口、均勻性要求±3%以內(nèi)。本發(fā)明中的工藝具有擴散均勻性好、化學品和特氣損耗大幅減少、維護周期長等優(yōu)點。