本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片單元加工的封裝方法，其特征在于，所述芯片單元加工的封裝方法包括以下流程：第一階段：先對材料進(jìn)貼膜，所述貼膜完成后通過磨削，研磨，化學(xué)機(jī)械拋光，干式拋光，電化學(xué)腐蝕等方法對硅片減薄，所述減薄完成后對硅片去膜，貼片切割；通過采用機(jī)械的方式對半導(dǎo)體進(jìn)行切割，所述烘培完成后，所述切割完成后對引腳進(jìn)行成型，本發(fā)明可對封裝過程進(jìn)行優(yōu)化，同時增加了檢測的步驟，避免發(fā)生成品制造完成后，產(chǎn)品不合格，而無法進(jìn)行修復(fù)的問題出現(xiàn)，提高了芯片的成品率，同時增加了芯片的強(qiáng)度，同時通過采用的封裝方式能使得整個芯片封裝結(jié)構(gòu)得以提升，降低封裝翹曲和提高散熱效果。