本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件失效定位方法，包括：開啟半導(dǎo)體器件封裝，露出器件芯片；在所述器件芯片表面涂覆液晶并加電，根據(jù)液晶顏色變化情況，確定失效點(diǎn)位置；對(duì)所述器件芯片進(jìn)行逐層剝層直至所述失效點(diǎn)完全暴露；本發(fā)明驗(yàn)操作簡單方便，將液晶技術(shù)引入到半導(dǎo)體器件失效分析中，彌補(bǔ)了微光顯微鏡設(shè)備昂貴的問題，同時(shí)，提出了半導(dǎo)體芯片干法刻蝕和濕法刻蝕中的相關(guān)參數(shù)及化學(xué)配比，能高效應(yīng)用于常規(guī)Si半導(dǎo)體器件的剝層；將兩者有效的結(jié)合起來，能夠滿足半導(dǎo)體器件深層失效分析定位及失效分析的需求。