本發(fā)明涉及一種形成鈦/氮化鈦(Ti/TiN)阻擋層的方法,首先提供一半導(dǎo)體襯底,且半導(dǎo)體襯底上包括至少一導(dǎo)電層,接著進(jìn)行一化學(xué)汽相沉積(CVD)工藝,于導(dǎo)電層上形成一Ti/TiN阻擋層,隨后進(jìn)行一檢測(cè)程序。若檢測(cè)出Ti/TiN阻擋層中包括微粒,則進(jìn)行一重作工藝。
聲明:
“制作阻擋層的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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