本發(fā)明公開了一種大規(guī)模小像元銦鎵砷焦平面探測器制備方法，具體步驟如下：1)淀積氮化硅擴散掩膜，2)開擴散窗口，3)閉管擴散，4)生長P電極，5)快速熱退火，6)開N槽，7)淀積氮化硅鈍化膜，8)開P、N電極孔，9)生長加厚電極，10)金屬化，11)生長銦柱。本發(fā)明的優(yōu)點在于：1、制備工藝更簡單，首先生長P區(qū)電極的工藝方法，降低光刻偏差和過刻蝕可能導(dǎo)致的P區(qū)電極與N區(qū)InP材料之間的導(dǎo)通風(fēng)險；2、引入感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積(ICPCVD)技術(shù)生長低溫氮化硅鈍化膜，芯片的表面鈍化層結(jié)構(gòu)致密，降低工藝過程對材料表面造成的損傷，改善表面鈍化效果；3、金屬化區(qū)域和銦柱區(qū)域一體化光刻生長技術(shù)，降低器件的接觸電阻。