本發(fā)明提供了一種SnSe₂/H?TiO₂異質(zhì)結(jié)光電探測器件，包括H?TiO₂納米管陣列層和覆蓋于H?TiO₂納米管陣列層上的SnSe₂納米層。還提供了上述SnSe₂/H?TiO₂異質(zhì)結(jié)光電探測器件制備方法，包括以下步驟：(1)采用陽極氧化法制備不定型TiO_x納米管陣列；(2)將不定型TiO_x納米管陣列進(jìn)行退火處理，得到TiO₂納米管陣列；(3)以硒粉與SnCl₄·5H₂O為原料，用化學(xué)氣相沉積方法，在TiO₂納米管陣列表面沉積SnSe₂納米層，沉積SnSe₂納米層時同時通入氫氣，將TiO₂氫化為H?TiO₂，即得到SnSe₂/H?TiO₂異質(zhì)結(jié)。本發(fā)明方法制備的SnSe₂/H?TiO₂異質(zhì)結(jié)光電器件材料具有較高的光電響應(yīng)性能并且擴大了器件的探測范圍，且該制備方法簡單、成本低、反應(yīng)條件容易控制。