一種核輻射探測(cè)器用電極的構(gòu)成及晶體的制備方法，采用移動(dòng)加熱器法完成晶體的生長(zhǎng)，依次包括由生長(zhǎng)爐溫度場(chǎng)分布的設(shè)定、各組分化學(xué)計(jì)量比的配比完成、合料形成多晶料錠、建立回溶控制步序、單晶晶片的切割制成、制備電極陰陽(yáng)極面的區(qū)分、晶體表面處理、電極制備、鈍化處理構(gòu)成的工序。本發(fā)明的一種核輻射探測(cè)器用電極的構(gòu)成及晶體的制備方法，通過上述步序形成的晶體生長(zhǎng)控制與電極結(jié)構(gòu)設(shè)置，完成了具有載流子遷移率高、表面光滑、成分均勻的晶體及高質(zhì)量的歐姆接觸特性的探測(cè)器用復(fù)合電極的制備，為探測(cè)器的優(yōu)秀能譜響應(yīng)提供了保障。