本發(fā)明屬于光電探測(cè)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種氧等離子體處理的硒氧化鉍納米片光電探測(cè)器及制備方法，所述制備方法包括以下步驟：(1)采用化學(xué)氣相沉積方法在襯底上制備硒氧化鉍納米片；(2)采用激光直寫或者電子束曝光技術(shù)，結(jié)合熱蒸發(fā)及電子束蒸發(fā)在所述硒氧化鉍納米片上制備一對(duì)源漏金屬電極；(3)對(duì)所述硒氧化鉍納米片進(jìn)行氧等離子體處理，由此得到硒氧化鉍納米片光電探測(cè)器。本發(fā)明采用等離子體處理的方法，可以使得硒氧化鉍納米片的初始暗態(tài)電流下降，可以增大器件的光響應(yīng)，且制備方法工藝簡(jiǎn)單，操作容易，成本較低，有望應(yīng)用于大規(guī)模改善硒氧化鉍納米片光電探測(cè)器的性能，為硒氧化鉍在光電探測(cè)器的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。