本發(fā)明公開了一種三維雙面硅微條探測(cè)器及其制備方法，包括上部探測(cè)單元、下部探測(cè)單元和中間半導(dǎo)體基體，上部探測(cè)單元的上溝槽電極內(nèi)均勻嵌有多個(gè)相互平行的上半導(dǎo)體基體，上半導(dǎo)體基體內(nèi)嵌有上中央電極；下部探測(cè)單元的下溝槽電極內(nèi)均勻嵌有多個(gè)相互平行的下硅基體，下硅基體內(nèi)嵌有下中央電極；上半導(dǎo)體基體、上溝槽電極、上中央電極、下硅基體、下溝槽電極和下中央電極高度均相等；下部探測(cè)單元位于上部探測(cè)單元正下方，且兩者在水平方向錯(cuò)開一定角度。通過(guò)吸雜氧化工藝在硅晶圓表面生成二氧化硅層，然后經(jīng)標(biāo)記與光刻將探測(cè)器圖形轉(zhuǎn)移到二氧化硅層上，再進(jìn)行陰極電極和陽(yáng)極電極的刻蝕和化學(xué)沉積擴(kuò)散，最后進(jìn)行損傷修復(fù)及封裝。